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施敏 关于华东理工大学教授、长江学者，请见「施敏 (化学家)」。
施敏（1936年3月21日—2023年11月6日[註 1][2]），號福佑[3]，江蘇吳江[註 2]震澤人[4]，生於南京[5]，知名半導體學者，中央研究院院士，曾任職於美國貝爾實驗室與國立交通大學電子工程系教授、國立陽明交通大學與國立臺灣科技大學的榮譽講座教授、及美國史丹福大學電機系顧問教授。他與姜大元發明並實作了第一個非揮發性記憶體（non-volatile semiconductor memory，NVSM）[6][7]。電機電子工程師學會（IEEE）會士[8]、尊榮會員。 生平施敏的父親施家福是留學法國的礦冶專家，因被調任為臺灣金銅礦務局[註 3]局長，施敏全家於1948年12月遷居台灣[4]。1957年，施敏畢業於國立臺灣大學電機工程學系，之後至美國留學。1960年，取得華盛頓大學碩士學位。1963年，取得史丹福大學電機博士學位[註 4]。畢業後，隨即進入貝爾實驗室工作，在此工作直到1989年退休。 1967年5月，與韓裔美國人的姜大元在《貝爾系統科技期刊》（The Bell System Technical Journal）發表第一篇關於非揮發性記憶體的論文「浮閘非揮發性半導體記憶體細胞元件」[6][7]，隨後由貝爾實驗室取得專利。在此年開始，撰寫《半導體元件物理學》（Physics of Semiconductor Devices）[9]。1969年，《半導體元件物理學》（Physics of Semiconductor Devices）第一版出版，成為工程及應用科學領域最暢銷的教科書[4]。 1968年，回台灣於國立交通大學擔任董浩雲講座教授一年。並創辦台灣第一家半導體公司「環宇電子」[註 5][10]。 1976年，應經濟部長孫運璿之邀，為當時經濟部發展積體電路計畫工作小組成員之一，自述「當時這個小組給孫運璿的建議是，台灣沒有地下資源、礦產稀少，唯一可以好好發展的資源就是腦力。半導體絕對是最新的高科技，未來發展前景看好，建議台灣應該要發展ＩＣ產業。」，力薦孫運璿推動半導體業。[11][12] 1977年獲選電機電子工程師學會（IEEE）會士[13]，1989年自貝爾實驗室退休後，1990年開始於國立交通大學電子工程系任教[14]。 1991年，獲選IEEEJ J Ebers獎[15][8]。 1994年，當選中華民國中央研究院院士（數理組）。1995年，獲選美國國家工程院院士。1998年，獲選中國工程院外籍院士[1]。 2010年6月，獲贈國立交通大學終身講座教授。 2014年6月，獲贈國立臺灣科技大學榮譽講座教授。 2017年12月獲IEEE頒贈2017年度「尊榮會員」[16]。 著作施敏所著的《半導體元件物理學》（Physics of Semiconductor Devices）是目前全世界工程及應用科學領域最暢銷的書之，一曾被翻譯成六種語言，銷售超過100萬冊，被引用次數達兩萬多次，有「半導體界的聖經」之稱。1969年推出第一版，1981年與2006年再版兩次。
注释参考文献
延伸閱讀外部連結
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