Share to: share facebook share twitter share wa share telegram print page

 

ПН спој

ПН спој је физички јединствен комад полупроводника у који су, на једном крају контролисано убачене примесе П–типа, а на другом крају примесе Н-типа. Овај полупроводнички кристал чини јединствену, непрекидну целину, где је и на прелазу сачуван континуитет кристалне решетке и представља ПН спој. У овом кристалу један део је полупроводник П типа, а други полупроводник Н типа и зато је у њему неравномерна расподела примеса, односно неравномерна (нехомогена) расподела носилаца наелектрисања.[1]

Својства

ПН спој је основни градивни део од кога зависи рад свих полупроводничких уређаја, a најпростији елемент је диода која има само један ПН спој.

Функционисање

Због разлике у концентрацијама потећи ће дифузиона струја у том полупроводнику. Шупљине које се налазе у огромном броју у П области полупроводника, дифузионо ће се кретати ка Н области, где је њихова концентрација занемарљиво мала. Електрони ће се, из истих разлога, дифузионо кретати из Н ка П области полупроводника. Када шупљине уђу у Н област, доћи ће до рекомбинације великог броја тих шупљина са слободним електронима који се тамо налазе. Зато у Н делу области који се налази непосредно до П области нема слободних електрона (ишчезли су рекомбинацијом), па се ту налазе некомпензовани, непокретни, позитивно наелектрисани јони донора. Због тих јона нарушена је електрична неутралност и тај део Н области, непосредно до П области је позитивно наелектрисан. Електрони дифундују из Н области у П област, ту се иза границе споја рекомбинују са слободним шупљинама и узрокују стварање негативно наелектрисане области у којој се налазе некомпензовани јони. Некомпензовани негативно наелектрисани јони акцептора и некомпензовани позитивно наелектрисани јони донора чине просторно наелектрисање или просторни товар, па се област у којој се они налазе назива област просторног товара – ОПТ (или прелазна или осиромашена област – нема слободних носилаца; или запречни слој).

На граници споја нарушена је електрична неутралност, па у П подручју постоји негативно, а у Н подручју позитивно просторно наелектрисање. (Ширина ОПТ износи око 1 μm) Као резултат деловања два по знаку супротна наелектрисања, на споју ће се јавити електрично поље усмерено од слоја са позитивним ка слоју са негативним просторним наелектрисањем. Електрично поље постоји само у ОПТ. Електрично поље у ОПТ ствара потенцијалну баријеру (контактну разлику потенцијала) између П и Н подручја, која настоји да врати електроне у Н и шупљине у П подручје. Дејство електричног поља је супротно од дифузионог кретања слободних носилаца наелектрисања (спречава дифузију главних носилаца након успостављања равнотежног стања). У равнотежи се дифузионо кретање (струја већинских носилаца) и кретање под утицајем електричног поља (мањинска струја) изједначују, тако да нема струје кроз полупроводник. Сама по себи, дифузија би се наставила док се концентрације електрона и шупљина не изједначе. Међутим, формирани просторни товар својим електричним пољем тежи да заустави процес дифузије која га је створила. Тако се долази у равнотежу где је величина ОПТ константна. То је динамичка равнотежа: неке валентне везе се раскидају, нове се успостављају, а статистичка средња вредност запреминске густине некомпензованог донорског и акцепторског оптерећења остаје константна. Потенцијална разлика настала на месту нехомогености материјала или на контакту два различита материјала зове се контактна разлика потенцијала.[1]

Директно поларисан ПН спој

Под поларизацијом ПН споја се подразумева његово прикључење у електрично коло са једносмерним извором. Директно поларисан ПН спој је онај код кога је П област прикључена на позитиван пол спољашњег извора (батерије), а Н област на негативан пол. Струја почиње да тече кроз ПН спој кад споља прикључени напон постане виши од напона потенцијалне баријере. Прикључени напон смањује потенцијалну баријеру, тако нарушавајући равнотежно стање између дифузије и дрифта носилаца преко споја. Због мање разлике потенцијала на споју шупљине се лакше дифузионо крећу из П ка Н области. Услед смањене баријере дифузиона струја кроз ПН спој постаје већа од дрифтовске и кроз ПН спој ће протицати струја.

Референце

  1. ^ а б Цвекић, Војин (1989). Електроника1,полупроводнички елементи. Београд: Научна књига. стр. 20. 

Спољашње везе

Kembali kehalaman sebelumnya


Index: pl ar de en es fr it arz nl ja pt ceb sv uk vi war zh ru af ast az bg zh-min-nan bn be ca cs cy da et el eo eu fa gl ko hi hr id he ka la lv lt hu mk ms min no nn ce uz kk ro simple sk sl sr sh fi ta tt th tg azb tr ur zh-yue hy my ace als am an hyw ban bjn map-bms ba be-tarask bcl bpy bar bs br cv nv eml hif fo fy ga gd gu hak ha hsb io ig ilo ia ie os is jv kn ht ku ckb ky mrj lb lij li lmo mai mg ml zh-classical mr xmf mzn cdo mn nap new ne frr oc mhr or as pa pnb ps pms nds crh qu sa sah sco sq scn si sd szl su sw tl shn te bug vec vo wa wuu yi yo diq bat-smg zu lad kbd ang smn ab roa-rup frp arc gn av ay bh bi bo bxr cbk-zam co za dag ary se pdc dv dsb myv ext fur gv gag inh ki glk gan guw xal haw rw kbp pam csb kw km kv koi kg gom ks gcr lo lbe ltg lez nia ln jbo lg mt mi tw mwl mdf mnw nqo fj nah na nds-nl nrm nov om pi pag pap pfl pcd krc kaa ksh rm rue sm sat sc trv stq nso sn cu so srn kab roa-tara tet tpi to chr tum tk tyv udm ug vep fiu-vro vls wo xh zea ty ak bm ch ny ee ff got iu ik kl mad cr pih ami pwn pnt dz rmy rn sg st tn ss ti din chy ts kcg ve 
Prefix: a b c d e f g h i j k l m n o p q r s t u v w x y z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9