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DDR4 SDRAM
컴퓨팅 분야에서 DDR4 SDRAM은 2배속 SDRAM의 일종으로, 2014년에 출시되었다.[2][3][4] 'DDR4 SDRAM'은 'double data rate 4th generation synchronous dynamic random-access memory'(4세대 2배속 동기 동적 랜덤 접근 기억장치)를 줄인 말이다. 1970년대 초 이후로 사용되어 온 DRAM들 중 가장 최근의 변종이 되며,[5] DDR2 SDRAM과 DDR3 SDRAM 기술의 뒤를 이었다. DDR4 SDRAM은 서로 다른 신호 전압, 물리적 인터페이스, 기타 요인으로 인해 이전 세대의 RAM과는 호환되지 않는다. DDR4 SDRAM은 2015년 2/4분기에 ECC 메모리에 주력하여 시장에 공개되었고,[6] 비 ECC 메모리 모듈은 DDR4 메모리를 사용하는 하스웰-E의 출시와 함께 2014년 3/4분기에 출시되었다.[7] 특징이전 기종인 DDR3에 비해 DDR4가 좋은 점으로는 모듈 밀도가 높고, 높은 비트 전송률과 함께 필요한 전압이 낮음을 들 수 있다. DDR4의 기준은 이론적으로 DIMM이 용량 512GiB까지 가능한데, DDR3의 경우 이론적으로 DIMM당 128GiB이 최고였다.[8] DDR4는 1.2 V에 800에서 1600 MHz의 주파수로 운용되는데, DDR3는 1.5 V 또는 1.65 V에서 400에서 1067 MHz로 기동한다.[9][주해 1][10] 2014년 8월 저전력 기준이 확정되지는 않았지만, 저전력 DDR4는 DDR3의 저전력 기준인 1.35V의 운용 전압보다 낮은 1.05V로 구동이 된다.[11] DIMM 차이DDR4는 240핀 DDR-2/DDR-3 DIMM과 비슷한 284핀 DIMM으로 출시된다.[12] DDR4 SO-DIMM은 256핀을 지니며 0.5mm 더 공간이 좁아졌고 1.0 mm 더 넓어졌으나 기존과 동일한 30 mm 높이를 유지한다.[12] 최소 메모리용량은 4GB이며 32비트는없다. 최종 규격2012년 9월 25일, 메모리 표준 규격을 정하는 JEDEC (Joint Electron Device Engineering Council ) 은 차기 메모리인 DDR4 의 최종 규격을 발표했다. 이에 의하면 핀당 전송 속도는 최소 1.6 GT/s (Gigatransfer per second)에서 최대 3.2 GT/s 가 기본이지만 이전 DDR3 이하 메모리에서 그랬듯이 이보다 더 빠른 규격이 등장할 수도 있을 것으로 예상되었다. 또한 DDR4 메모리는 기본이 1.2 V 로 작동해 1.5 V 로 작동하는 DDR3 메모리보다 전력 소모가 줄어들고 속도는 빨라졌기 때문에 도입되면 큰 이점이 있을 것으로 기대되었다.[13] 모듈JEDEC 표준 DDR4 모듈JEDEC 표준 DDR4 모듈은 다음과 같다.[14][15]
* 선택 사항 같이 보기각주
보충 설명
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