Share to: share facebook share twitter share wa share telegram print page

 

BiCMOS

Esquema d'un inversor BICMOS

BiCMOS (contracció de Bipolar-CMOS) és una tecnologia de fabricació de circuits integrats que combina els avantatges de les tecnologies bipolar i CMOS integrant-les juntes en una mateixa oblia. S'usa en analògica per a la fabricació d'amplificadors i en digital per a alguns components discrets.[1][2]

Orígens

Fins fa poc la integració de transistors MOS i bipolars en un mateix component era difícil i poc viable econòmicament. Per aquesta raó la major part dels circuits integrats triaven usar una o una altra tecnologia en funció dels criteris de disseny. Els transistors bipolars oferien alta velocitat, alt guany i baixa resistència de sortida mentre que els CMOS presentaven alta resistència d'entrada que es traduïa en portes lògiques senzilles i de baix consum.

A la fi dels anys 1990 les tècniques modernes de fabricació van començar a fer possible els circuits BiCMOS. Aquesta tecnologia va ser ràpidament adoptada en la fabricació d'amplificadors i va mostrar així mateix alguns avantatges en circuits digitals. Si bé no s'ha encara aconseguit l'alt nivell d'integració permès per la tecnologia CMOS, la qual cosa restringeix l'ús de la BiCMOS en circuits lògics a escales de baixa i mitja integració.

Prestacions

si es considera com a exemple de circuit BiCMOS un amplificador de dues etapes (la primera amb un transistor MOS i la segona amb un BJT). És clar que la primera etapa aporta una elevada impedància d'entrada i la segona una baixa resistència de sortida. Però a més para determinades configuracions, sobretot en cascada, presenta també la característica d'una baixa capacitància (gairebé tant com en el cas d'un només BJT). El que es tradueix en amplificadors amb un gran amplada de banda i circuits lògics amb alta velocitat de commutació.

El principal inconvenient d'aquesta tecnologia resideix a ajustar per separat les característiques dels components BJT i MOS. Això augmenta el nombre d'etapes del procés de fabricació i en conseqüència el seu cost.

Addicionalment, si s'ateny a criteris de rendiment la tecnologia BiCMOS mai pot oferir els baixos nivells de consum de la tecnologia CMOS. Sobretot es desconfiguren o en els pitjors casos exploten amb l'estàtica del cos humà, s'usa protecció anti-estàtica.

Referències

  1. Puchner, H. «5.2 BiCMOS Process Technology». A: Institut für Mikroelektronik, Technischen Universität Wien. Advanced Process Modeling for VLSI Technology (tesi), 1996. TUW-101186. 
  2. Puchner 1996, 5.2.1 BiCMOS Process Flow
Kembali kehalaman sebelumnya


Index: pl ar de en es fr it arz nl ja pt ceb sv uk vi war zh ru af ast az bg zh-min-nan bn be ca cs cy da et el eo eu fa gl ko hi hr id he ka la lv lt hu mk ms min no nn ce uz kk ro simple sk sl sr sh fi ta tt th tg azb tr ur zh-yue hy my ace als am an hyw ban bjn map-bms ba be-tarask bcl bpy bar bs br cv nv eml hif fo fy ga gd gu hak ha hsb io ig ilo ia ie os is jv kn ht ku ckb ky mrj lb lij li lmo mai mg ml zh-classical mr xmf mzn cdo mn nap new ne frr oc mhr or as pa pnb ps pms nds crh qu sa sah sco sq scn si sd szl su sw tl shn te bug vec vo wa wuu yi yo diq bat-smg zu lad kbd ang smn ab roa-rup frp arc gn av ay bh bi bo bxr cbk-zam co za dag ary se pdc dv dsb myv ext fur gv gag inh ki glk gan guw xal haw rw kbp pam csb kw km kv koi kg gom ks gcr lo lbe ltg lez nia ln jbo lg mt mi tw mwl mdf mnw nqo fj nah na nds-nl nrm nov om pi pag pap pfl pcd krc kaa ksh rm rue sm sat sc trv stq nso sn cu so srn kab roa-tara tet tpi to chr tum tk tyv udm ug vep fiu-vro vls wo xh zea ty ak bm ch ny ee ff got iu ik kl mad cr pih ami pwn pnt dz rmy rn sg st tn ss ti din chy ts kcg ve 
Prefix: a b c d e f g h i j k l m n o p q r s t u v w x y z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9