HMOS

HMOS bezeichnet eine Halbleitertechnik-Generation und ist ein Akronym für das englische high-performance MOS (engl. für Metall-Oxid-Halbleiter). HMOS findet in integrierten Schaltkreisen hoher Packungsdichte mit NMOS-Logik Anwendung. Zuvor waren Strukturgrößen von 6 µm bis 10 µm etabliert. Andere Halbleitertechnologien sind unter den Bezeichnungen HCMOS, PMOS und den heute überwiegend eingesetzten CMOS bekannt.[1]

HMOS-Generationen (Quelle: [2])
Generation Einführung Kanallänge Gatterverzögerung
HMOS I 1976 ≈ 3 µm 100 ns
HMOS II 1979 ≈ 2 µm 30 ns
HMOS III 1982 ≈ 1,5 µm 10 ns

Literatur

  • K. Yu, R.J.C. Chwang, M.T. Bohr, P.A. Warkentin, S. Stern, C.N. Berglund: HMOS-CMOS-a low-power high-performance technology. In: IEEE Journal of Solid-State Circuits. Band 16, Nr. 5, Oktober 1981, S. 454–459, doi:10.1109/JSSC.1981.1051622.

Einzelnachweise

  1. ↑ vgl. Wadhwa: Microprocessor 8085: Architecture Programming And Interfacing. PHI Learning Pvt. Ltd., 2010, ISBN 978-81-203-4013-8, S. 9 (eingeschränkte Vorschau in der Google-Buchsuche).
  2. ↑ Dieter Sautter, Hans Weinerth: Lexikon Elektrotechnik und Mikroelektronik. 2. Auflage. Springer, Berlin 1993, ISBN 978-3-540-62131-7, S. 454.

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