Struktur kristal aluminium galium arsenida adalah sfalerit.
Aluminium galium arsenida (juga galium aluminium arsenida) (AlxGa1−xAs) adalah sebuah bahan semikonduktor dengan konstanta kisi yang hampir sama dengan GaAs, tetapi dengan celah pita yang lebih besar. x dalam rumus di atas adalah angka antara 0 dan 1 - ini menunjukkan adanya paduan arbitrer antara GaAs dan AlAs.
Rumus kimia AlGaAs harus dianggap sebagai bentuk singkatan di atas, daripada rasio tertentu.
Celah pitanya bervariasi antara 1,42 eV (GaAs) dan 2,16 eV (AlAs). Untuk x < 0,4, celah pitanya langsung.
Indeks biasnya memiliki kaitan dengan celah pita melalui hubungan Kramers–Kronig dan bervariasi antara 2,9 (x = 1) dan 3,5 (x = 0). Hal ini memungkinkan konstruksi cermin Bragg yang digunakan dalam VCSEL, RCLED, dan pelapis kristalin yang ditransfer substrat.
Aluminium galium arsenida digunakan sebagai bahan penghalang dalam perangkat heterostruktur berbasis GaAs. Lapisan AlGaAs membatasi elektron ke wilayah galium arsenida. Salah satu contoh perangkat semacam itu adalah fotodetektor inframerah sumur kuantum (QWIP).
Ia umumnya digunakan dalam dioda laser heterostruktur-ganda yang memancarkan merah dan inframerah-dekat (700–1100 nm) berbasis GaAs.
Aspek keamanan dan toksisitas
Toksikologi AlGaAs belum sepenuhnya diselidiki. Debunya dapat mengiritasi kulit, mata, dan paru-paru. Aspek lingkungan, kesehatan dan keselamatan dari berbagai sumber aluminium galium arsenida (seperti trimetilgalium dan arsina) dan penelitian pemantauan kebersihan industri dari sumber MOVPE standar telah dilaporkan dalam sebuah tinjauan baru-baru ini.[1]
Referensi
^Shenai-Khatkhate, D. V.; Goyette, R. J.; DiCarlo, R. L. Jr.; Dripps, G. (2004). "Environment, Health and Safety Issues for Sources Used in MOVPE Growth of Compound Semiconductors". Journal of Crystal Growth. 272 (1–4): 816–821. doi:10.1016/j.jcrysgro.2004.09.007.
Pranala luar
(Inggris)"AlxGa1−xAs". Ioffe Database. Sankt-Peterburg: FTI im. A. F. Ioffe, RAN.
